ALD:
Bei ALD werden gezielt einzelne Atomlagen aufgetragen. Das ermöglicht eine extrem konformale und fehlerfreie Abscheidung. Die Merkmale sind eine bisher unerreichte Schichtqualität. Der praktische Einsatz hat sich zunächst für relativ dünne Schichte bei gleichzeitig hohen Anforderungen in der Halbleiterfertigung etabliert - besonders in der Fertigung von DRAM ab der 45 nm-Technologioe (2008). Neue Anwendungen für ALD sind Barriereschichten gegen Feuchtigkeit und Sauerstoff, elektrische Passivierungschichten in Photovoltagik und Displaytechnologie.
PEALD (auch P-ALD):
Durch Aktivierung mittels Plasma anstelle einer themischen Aktivierung ergibt sich die Möglichkeit, temperatureempfindliche Substrate wie Kunststoffe beschichten zu können. Außerdem können Ausgangsstoffe eingesetzt werden, die thermisch nur schwer aktivierbar sind. Anwendungsfelder sind neben der elektrischen Passivierung von Halbleiteroberflächen hochwertige Barriereschichten auf Kuststoffen, eine Schlüsseltechnologie für zukünftige, extrem dünne und flexible Anzeigen (Displays), besonders bei Verwendung von OLEDS.