High Power Seed Module (HPSM) bao gồm hai laser hạt giống tạo ra các xung đầu ra vài watt, cũng như nhiều thành phần quang học chủ động và thụ động giúp định hình tia laser và đảm bảo độ rộng xung tối ưu. Ánh sáng được khuếch đại trước lên một cấp độ là 100 W bằng bộ khuếch đại thứ nhất. Laser hạt giống được bảo vệ tối ưu khỏi phản xạ ngược bằng cơ chế bảo vệ, do đó tính ổn định của hệ thống tổng thể được tăng lên đáng kể và có thể đạt được công suất EUV không đổi cần thiết.

Bộ khuếch đại laser TRUMPF
Xung laser tạo nền tảng cho việc sản xuất vi mạch trong tương lai.
Công nghệ quang khắc siêu cực tím như một công cụ hỗ trợ cho thời đại kỹ thuật số
Công nghệ quang khắc siêu cực tím giành chiến thắng trong cuộc đua trở thành phương pháp sản xuất vi mạch trong tương lai. Trong nhiều năm, ngành công nghiệp bán dẫn đã tìm kiếm một phương pháp tiết kiệm chi phí và có thể sản xuất hàng loạt để đưa những cấu trúc nhỏ hơn lên các tấm mỏng silicon. ASML, Zeiss và TRUMPF đã cùng nhau phát triển công nghệ tạo ra ánh sáng siêu cực tím (EUV) có bước sóng 13,5 nanomet để sử dụng trong công nghiệp: Trong buồng chân không, máy tạo giọt bắn ra 50.000 giọt thiếc nhỏ nhất mỗi giây. Mỗi giọt này sẽ bị tác động bởi một trong 50.000 xung laser, biến đổi thành plasma. Quá trình này tạo ra ánh sáng bức xạ siêu cực tím được chiếu vào các tấm mỏng cần chiếu sáng thông qua gương. Xung laser cho phát xạ plasma được cung cấp bởi hệ thống laser CO2-tạo xung được phát triển bởi TRUMPF - Bộ khuếch đại laser TRUMPF.
Bộ khuếch đại laser TRUMPF khuếch đại xung laser lần lượt lên hơn 10.000 lần.
Bằng cách phát ra xung trước và xung chính, toàn bộ công suất của bộ khuếch đại laser có thể được truyền đến giọt thiếc.
Hệ thống laser công suất cao này dựa trên laser CO2 hoạt động ở chế độ sóng liên tục. Với hệ thống này, TRUMPF đang tạo ra một ứng dụng mới cho công nghệ.
Qua nhiều năm hợp tác chặt chẽ, TRUMPF, ASML và ZEISS đã đưa công nghệ EUV đến giai đoạn chín muồi trong công nghiệp.



