Das Prinzip der EUV-Gewinnung: In eine Vakuumkammer fallen pro Sekunde 50.000 kleinste Zinntröpfchen (1). Ein Puls aus einem CO 2-Laser (2) trifft jeden Tropfen und verwandelt ihn in Plasma (3). Dadurch entsteht EUV-Licht, das dann per Spiegel (4) auf die zu belichtenden Wafer gelenkt wird.
Die Halbleiterindustrie sucht schon seit vielen Jahren nach einem tauglichen Verfahren, mit dem man noch kleinere Strukturen auf Silizium-Wafern belichten kann. Damit werden Mikrochips leistungsfähiger bei gleicher Größe. Die Partner ASML, Zeiss und TRUMPF haben eine Technologie entwickelt, extrem ultraviolettes (EUV-) Licht mit einer Wellenlänge von 13,5 Nanometern für den industriellen Gebrauch zu gewinnen. Obwohl technisch hochkomplex, ist sie in der Anwendung das einfachste und kosteneffizienteste Verfahren für die Massenproduktion.
Das Unternehmen mit Sitz in den Niederlanden ist der weltweit größte Hersteller von Lithografieanlagen für die Halbleiterindustrie.
Das Prinzip der EUV-Gewinnung: In eine Vakuumkammer fallen pro Sekunde 50.000 kleinste Zinntröpfchen (1). Ein Puls aus einem CO 2-Laser (2) trifft jeden Tropfen und verwandelt ihn in Plasma (3). Dadurch entsteht EUV-Licht, das dann per Spiegel (4) auf die zu belichtenden Wafer gelenkt wird.
Die Halbleiterindustrie sucht schon seit vielen Jahren nach einem tauglichen Verfahren, mit dem man noch kleinere Strukturen auf Silizium-Wafern belichten kann. Damit werden Mikrochips leistungsfähiger bei gleicher Größe. Die Partner ASML, Zeiss und TRUMPF haben eine Technologie entwickelt, extrem ultraviolettes (EUV-) Licht mit einer Wellenlänge von 13,5 Nanometern für den industriellen Gebrauch zu gewinnen. Obwohl technisch hochkomplex, ist sie in der Anwendung das einfachste und kosteneffizienteste Verfahren für die Massenproduktion.
Das Unternehmen mit Sitz in den Niederlanden ist der weltweit größte Hersteller von Lithografieanlagen für die Halbleiterindustrie.
