На по-голямо разстояние разпределението на интензивността на еднорежимните VCSEL е с идеална Гаусова форма.
Еднорежимни VCSEL
Благодарение на подобрените си оптични свойства, еднорежимните VCSEL са идеалният избор за взискателни сензорни приложения. В усъвършенстваната конструкция на чипа надлъжните и напречните режими от по-висок ред са потиснати, а в същото време поляризацията е линейно стабилна.
Абсолютно симетричният и Гаусов профил на лъча опростява значително оптичната конструкция на Вашето приложение.
Повторяемият ъгъл на дивергенция в диапазона на 20° (1/e2) или по-малко опростява водача на лъча.
Лазерната линия с типична спектрална ширина 100 MHz определя предназначението на този лазер за приложения в спектроскопията.
Консумираната мощност в рамките на няколко миливата дава възможност за работа на батерии в мобилни приложения.
Оптичен датчик за положение за много прецизно позициониране
Благодарение на своя Гаусов профил на лъча, малка консумирана мощност, голяма кохерентна дължина, както и на отличната си надеждност, еднорежимните VCSEL са идеални за приложение в оптични датчици за положение.
FTIR (Инфрачервена спектроскопия с трансформация на Фурие)
Поради ниската зависимост от температурата на дължината на вълната на излъчването (0,06 nm/K) и теснолентовото спектрално излъчване, типично 100 MHz, термостабилизираните еднорежимни VCSEL са изключително подходящи като еталон за дължина на вълната за FTIR спектрометри.
Сензори за съдържание на кислород
Еднорежимните VCSEL са отлично подходящи за TDLAS приложения (Tunable Diode Laser Absorption Spectroscopy). TDLAS системите се възползват от малката ширина на линиите и от възможността за фино регулиране, предлагани от еднорежимните VCSEL с TEC.
Сензорна система за дълбочина с висока прецизност
Еднорежимните матрици от VCSEL са отлично подходящи за ToF приложения (Time-of-Flight) с висока прецизност. Линейните измервания на дълбочината в диапазон от няколко метра до 0 mm могат да бъдат направени с еднорежимни матрици от VCSEL.
Промишлени сензори за скорост и разстояние
ТО корпусите са надеждни за използването в промишлени околни среди. Те се използват като сензори за скорост и разстояние за различни материали, между тях чувствителни материали като тъкани.
TVT-006-850-A (чип 850 nm)
Сравняване на продукт
|
TVT-007-940-B (матрица от VCSEL с Гаусов профил на лъча)
Сравняване на продукт
|
TVP-001-850-A (ViP)
Сравняване на продукт
|
TTO-002-xxx-A (TO пакет)
Сравняване на продукт
|
|
---|---|---|---|---|
Параметри на лазера | ||||
Вид лазер | Single Mode | Single Mode | Single Mode | Single Mode |
Дължина на вълната | 850 nm | 940 nm | 850 nm | 760, 763, 850 nm |
Изходна мощност (мин.) | 2 mW | 13,5 mW | 0,3 mW | - |
Изходна мощност (макс.) | 2,5 mW | 25 mW | 0,75 mW | - |
Брой зони | 1 Брой | 12 Брой | 2 Брой | 1 Брой |
Ефективност на нарастване (при стайна температура) | 0.5 - 1 W/A | 0,9 W/A | - | - |
Клас на лазера | 3B | 3B | 3B | 3B |
Оптика | ||||
Оптичен елемент | - | - | с поляризационен контрол | TO пакет с интегрирана оптика |
Ток | ||||
Електрическо напрежение (при 25 mA и стайна температура) | 2,6 V | 2,6 V | 1.7 - 2.4 V | - |
Граничен ток (при стайна температура) | 2 mA | 3,6 mA | 0.2 - 1.0 mA | - |
Големина | ||||
Размер ширина | 200 μm | 187 μm | 165 μm | - |
Размер височина | 200 μm | 187 μm | 165 μm | - |
Размер дълбочина | 99 μm | 99 μm | 130 μm | - |
TVT-006-850-A (чип 850 nm)
|
TVT-007-940-B (матрица от VCSEL с Гаусов профил на лъча)
|
TVP-001-850-A (ViP)
|
TTO-002-xxx-A (TO пакет)
|
|
---|---|---|---|---|
Параметри на лазера | ||||
Вид лазер | Single Mode | Single Mode | Single Mode | Single Mode |
Дължина на вълната | 850 nm | 940 nm | 850 nm | 760, 763, 850 nm |
Изходна мощност (мин.) | 2 mW | 13,5 mW | 0,3 mW | - |
Изходна мощност (макс.) | 2,5 mW | 25 mW | 0,75 mW | - |
Брой зони | 1 Брой | 12 Брой | 2 Брой | 1 Брой |
Ефективност на нарастване (при стайна температура) | 0.5 - 1 W/A | 0,9 W/A | - | - |
Клас на лазера | 3B | 3B | 3B | 3B |
Оптика | ||||
Оптичен елемент | - | - | с поляризационен контрол | TO пакет с интегрирана оптика |
Ток | ||||
Електрическо напрежение (при 25 mA и стайна температура) | 2,6 V | 2,6 V | 1.7 - 2.4 V | - |
Граничен ток (при стайна температура) | 2 mA | 3,6 mA | 0.2 - 1.0 mA | - |
Големина | ||||
Размер ширина | 200 μm | 187 μm | 165 μm | - |
Размер височина | 200 μm | 187 μm | 165 μm | - |
Размер дълбочина | 99 μm | 99 μm | 130 μm | - |
Техническите характеристики на всички продуктови варианти за изтегляне.
Чип 850 nm
Чипът 850 nm предлага висока производителност при едновременно ниско потребление на ток. Чипът е подходящ за приложения за масово производство и високоинтегрирани приложения. Лазерните диоди се доставят като чипове на лента. Този формат на доставка изисква метод Pick&Place или Die-Bonding за обработка на лазерните диоди.
Малка 940 nm матрица от VCSEL с Гаусов профил на лъча
Миниатюрна еднорежимна матрица от VCSEL с 12 излъчвателя за много прецизни сензори на базата на измерване на времевата разлика между излъчения и отразения лъч. Матрици от VCSEL с Гаусов профил на лъча и кратки времена на повишаване и спадане.
850 nm ViP (VCSEL with integrated Photodiode)
Интегрираното VCSEL решение ViP е оборудвано с фотодиод, който е директно интегриран във VCSEL, за да улавя отразяващи се сигнали за по-нататъшна обработка. Патентованото решение подпомага с това технологията на самосмесваща се интерференция, съкратено SMI. SMI е доказал се оптичен метод на измерване за приложения в промишлената сензорна система или също за потребителска електроника.
760 nm – 766 nm VCSEL
VCSEL с един емитер подават за изход по 0,3 mW. VCSEL в диапазона на дължини на вълната между 760 nm и 766 nm са подходящи за измерване на съдържание на кислород и газова сензорна система. VCSEL компонентите се предлагат в ТО пакети за лесно манипулиране и интеграция.
ТО пакети
VCSEL в херметически уплътнен корпус TO осигуряват възможност за лесно боравене с лазерния диод и са подходящи за работа при сурови условия на околната среда. Освен това е възможна електротермотренировка, вграден ценеров диод намалява чувствителността към електростатичен разряд.
TO с TEC
За приложения, изискващи големи колебания на температурата или спектрална стабилизация на лазерния диод, е подходящ ТО пакет с вградено регулиране на температурата (TEC). Елементът на Пелтие осигурява възможност за точно регулиране на температурата на лазера чрез NTC резистор; поради херметичността на корпуса кондензацията на VCSEL е изключена.
Еднорежимни VCSEL със стабилна, прогресивна линейна поляризация подобряват качеството на осветлението и разделителната способност в сложни 3D осветителни приложения.
Повърхностната решетка позволява стабилна поляризация и се гравира директно в галиевия арсенид. Поради оптимизирания дизайн на решетката поляризираните VCSEL достигат почти 100-процентна енергийната ефективност в сравнение с неполяризираните VCSEL. TRUMPF разработи патентованата технология на VCSEL със стабилна поляризация за приложения в големи серии.
На разположение е и опция за двойна поляризация, така че две посоки на поляризация да бъдат интегрирани в един VCSEL.
Еднорежимни VCSEL в херметически уплътнен корпус TO осигуряват възможност за лесно боравене с лазерния диод и са подходящи за работа при сурови условия на околната среда. Опционално продуктите са оборудвани и с темперираща система (TEC, термистор).
VCSEL с интегриран фотодиод (ViP) позволяват отразените сигнали да бъдат приети за по-нататъшна обработка. Патентованото решение подпомага с това технологията на самосмесваща се интерференция, съкратено SMI. SMI е доказал се оптичен метод на измерване за приложения в промишлената сензорна система или в потребителската електроника.
Възможни са отклонения от този продуктов асортимент и от тези данни в зависимост от държавата. Запазваме си правото на изменения в технологията, оборудването, цената или предложението за окомплектоване. Моля, свържете се с Вашия местен търговски представител, за да научите дали продуктът се предлага във Вашата страна.