ALD:
ALD inkluderar riktad applicering av enstaka atomlager. Det möjliggör en extremt konform och felfri deponering. Metoden ger en tidigare ouppnådd skiktkvalitet. Den praktiska tillämpningen av denna teknologi har först etablerad sig för tillverkning relativt tunna skikt och höga krav i halvledarindustrin – särskilt vid tillverkning av DRAM från 45 nm-teknologin och framåt (2008). Nya applikationer för ALD inkluderar barriärlager som skyddar mot fukt och syrgas, elektriska passiveringsskikt inom solcells- och displayteknologin. PEALD (även P-ALD):
Genom plasmaaktivering i stället för termisk aktivering är det möjligt att belägga temperaturkänsliga substrat som exempelvis plast. Dessutom kan utgångsmaterial användas som är mycket svåra att aktivera termiskt. Användningsområdena är elektrisk passivering av halvledarytor och högvärdiga barriärlager på plaster, en viktig teknologi för framtidens extremt tunna och flexibla displayer, särskilt vid användning av OLED:er.
Kontakt