You have selected Sverige. Based on your configuration, United States might be more appropriate. Do you want to keep or change the selection?

Torretsning | TRUMPF

Torretsning

Strukturering i nanoområdet

Genom att avlägsna material ur tunna skikt genereras strukturer för elektroniska komponenter. Därmed uppstår t.ex. ledande banor på kretskort eller transistorer. Genom att jonisera molekylerna i en processgas bildas joner, som accelereras mot substratytan i plasmans elektriska fält.

Reaktiv jonetsning möjliggör en riktningsselektiv borttagning, vilket är en förutsättning för tillverkning av mikroelektriska komponenter och MEMS (Micro electro-mechanical systems). För exakt styrning av jonflödet och jonenergin används olika generatorer med olika excitationsfrekvenser för att generera biasspänningen.